L1 · 3D 拆解

SiC 半桥功率模块

叠层母排折弯引脚直连芯片 · 压接信号针 · 每臂 4 芯片并联

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SiC 半桥示意爆炸视图：PPS 外壳与盖板、压接信号针、叠层母排与折弯引脚、8 颗芯片、两片 AMB、焊层和铜底板。

沿装配轴展开各层

静态示意预览 · 交互模型载入中

模型 P/N 间距放大 4 倍；计算与读数使用实际 d。w、l 仅调整解析模型。

选中零件

叠层母排Laminated busbar

作用: 连接直流端子与上下桥臂芯片，承载主功率电流；P、N 两层构成换流回路。
特点: P、N 层面对面叠放，电流方向相反，磁场相互抵消；各层从板边伸出折弯引脚，直接焊在芯片源极或衬板铜层上，主电流不走键合线。
常用材料: 无氧铜 C1020（可镀镍或镀锡）；层间绝缘为 PI 或 PEN 薄膜，边缘需绝缘设计。

电路拓扑 · 与模型及零件说明联动

母排回路电感 · 平行板近似

L ≈ μ₀ · l · d / w

1.57nH

层间距 d0.50 mm

重叠宽度 w40 mm

母排长度 l100 mm

忽略边缘效应、端子、芯片与键合线电感。仅比较几何趋势，不等于整个模块的寄生电感或绝缘验证。

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外壳

作用: 框体与盖板保护内部组件，定位功率端子并为压接信号针提供针座与导向孔。
特点: 示意中外壳半透明以显示内部；真实密封、爬电距离与灌封需要独立设计。
常用材料: PPS 工程塑料；材料牌号与填充量视设计而定。

直流端子

作用: 将外部直流电容或母线接入 P、N 层。
特点: 正负端子相邻布置有利于缩小回路面积；连接电阻与扭矩需验证。
常用材料: 铜或镀锡、镀镍铜。

交流端子

作用: 引出上下桥臂的中点，连接相线负载。
特点: AC 与 P/N 的电气节点不同；演示模型不代表具体额定电流。
常用材料: 铜；表面处理按连接方案选择。

叠层母排

作用: 连接直流端子与上下桥臂芯片，承载主功率电流；P、N 两层构成换流回路。
特点: P、N 层面对面叠放，电流方向相反，磁场相互抵消；各层从板边伸出折弯引脚，直接焊在芯片源极或衬板铜层上，主电流不走键合线。
常用材料: 无氧铜 C1020（可镀镍或镀锡）；层间绝缘为 PI 或 PEN 薄膜，边缘需绝缘设计。

信号针

作用: 压接针立在外壳内侧的针座上，穿过盖板与驱动板压接；底部用键合线连到衬板栅极和 Kelvin 源极走线。
特点: 针眼式压接区免焊接；Kelvin 回路与主功率回路分开，减少共源电感对驱动电压的影响。
常用材料: 铜合金（如 CuSn）压接针，常见镀锡。

栅极键合线

作用: 在芯片栅极、Kelvin 源极焊盘与信号引出之间建立连接。
特点: 细线只示意信号连接，主功率连接由母排承担；线弧与焊点可靠性需验证。
常用材料: 铝线（示意直径 0.3 mm）；实际尺寸视工艺而定。

SiC MOSFET 芯片

作用: 上下桥臂分别控制 P–AC 与 AC–N 的开关通路。
特点: 共 8 颗芯片，每臂 4 颗并联。均流、寄生参数和驱动时序不由外观模型验证。
常用材料: 碳化硅芯片；表面金属化与具体器件相关。

AMB 衬板

作用: 在电隔离的同时将芯片热量传向底板。
特点: 两片铜/陶瓷/铜衬板。铜层图形、电压等级与热循环寿命需专门设计。
常用材料: Si₃N₄ 陶瓷与铜；以活性金属钎焊结合。

焊层

作用: 连接芯片与衬板、衬板与底板，并提供导热路径。
特点: 模型分离薄层以便观察；空洞、界面与疲劳影响不能从此几何中推断。
常用材料: 此处取无铅焊料；银烧结是可选的不同连接工艺。

铜底板

作用: 承载组件、扩散热量，并连接外部冷却界面。
特点: 厚度与平面度影响热阻和装配；该模型不包含冷却液或流道仿真。
常用材料: 铜；亦有其他复合底板方案。