S1 · 仿真
芯片结温仿真
AMB 叠层稳态导热
芯片结温 Tj
°C
等效源节点
- Rth,j-f
- K/W
- ΔT
- K
超过 SiC 器件常见最高结温 175 °C
正在准备交互模型
温度°C
65.0125.6
示意温度场 · 局部温度未经验证。
厚度方向按比例放大
拖动 / 方向键旋转 · 滚轮 / +/- 缩放 · Home 复位 · 点击选择层单指旋转 · 双指缩放 · 点按选择层
已启用二维示意图；参数计算与层选择仍可使用。
热阻构成
0.606 K/W
探索参数
固定芯片：5 × 5 × 0.18 mm，导热系数 370 W/(m·K)。
50W500
25°C85
2000W/(m²·K)20000
芯片与上铜层之间的连接层。材料预设只改变导热系数。
0.05mm0.3
20W/(m·K)250
铜层包覆陶瓷芯层；上下铜层厚度可独立调节，共用铜导热系数。
0.1mm1
0.2mm1
0.1mm1
20W/(m·K)200
250W/(m·K)400
AMB 下铜层与 Cooler 之间的连接层。
0.05mm0.3
20W/(m·K)250
冷却液侧采用等效对流换热边界。
1mm5
120W/(m·K)400
当前参数无法计算，请检查数值或恢复默认参数。