S2 · 仿真

母排焦耳热仿真

L1 半桥 P 层、AC 连接片与 N 层的直流导电与稳态导热

导体最高温度 T_max

114.6°C

热点: AC 连接片 · 温升 44.6 K

焦耳损耗: 10.24W
等效电阻: 0.256mΩ

默认工况下 P 层、AC 连接片与 N 层的温度场静态预览

温度°C

70.0114.6

FEM 代理场（POD 重建）在显示格点上插值。

几何 1:1；剖面为叠层平板下方的水平截面，露出 AC 连接片与 N 立柱带。

拖动 / 方向键旋转 · 滚轮 / +/- 缩放 · Home 复位 · 点击选择导体单指旋转 · 双指缩放 · 点按选择导体

损耗构成

10.24 W

探索参数

电流为直流或低频有效值；T_sub 为焊接引脚处衬板温度，同时作为对流参考温度。

电流 I200

50A400

衬板温度 T_sub70

40°C100

电流路径

拓扑与当前开关状态同步

DC+ → P 层 → S_H → AC 连接片 → AC

AC → AC 连接片 → 衬板 2 → S_L → N 层 → DC−

不计算 P→N 直通（短路）工况。

I / (b·t) = 83.3 A/mm²

边界条件与假设

电：端子螺栓垫圈面为电流注入等电位面；导通开关一侧的焊接引脚或源极夹片接触面为回流等电位面；其余表面电绝缘。
热：全部焊接引脚与夹片接触面取 T = T_sub；其余外露表面对流 h，参考温度 T∞ = T_sub；端子外接电缆导热不计。
三段导体分别求解，彼此之间经绝缘膜与空气的导热不计；芯片不计损耗，故夹片接触面亦取 T_sub。
几何读取 L1 参数文件；t 增大时各层按 L1 层间间隙依次上移。

R = R_g(t, b) / σP = I² RT − T_sub = I² R_g² Θ(t, b, h/k) / (σ k)

R_g 与 Θ 由 FEM 训练的代理模型给出；电流、σ 与 k 按常物性精确缩放。

导体说明

P 层P layer

作用: 把 DC+ 端子的电流分配到上桥臂衬板的漏极铜区。
特点: 与 N 层隔绝缘膜叠放，形成低电感叠层母排；经馈电脚和立柱焊接到衬板 1。
常用材料: 无氧铜或电解铜板，表面镀镍或镀锡

AC 连接片AC link

作用: 连接上桥臂源极、下桥臂漏极与 AC 端子，构成半桥中点。
特点: 收集条压在四个上桥臂源极夹片上，窄桥接带跨到衬板 2 的漏极铜区；两种开关状态下都通过负载电流。
常用材料: 铜带或铜合金冲压件，表面镀镍

N 层N layer

作用: 把下桥臂源极电流汇集后引回 DC− 端子。
特点: 收集条经立柱带绕过 P 层边缘上升，返回到叠层上层平板。
常用材料: 无氧铜或电解铜板，表面镀镍或镀锡