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L1 · 3D 構造分解

SiC ハーフブリッジ​パワーモジュール

積層バスバーのリードをチップに直接接合 · プレスフィット信号ピン · 各アーム 4 チップ並列

個人プロジェクト(自主制作) · 公開資料に基づく一般的な構造の模式図 · いずれの雇用主の製品とも無関係

ドラッグで回転 · ホイールで拡大・縮小 · 部品をクリックで説明を表示1 本指で回転 · 2 本指で拡大・縮小 · 部品をタップで説明を表示

SiC ハーフブリッジの組立状態の模式図:PPS ケースと蓋、プレスフィット信号ピン、積層バスバーと折り曲げリード、8 個のチップ、2 枚の AMB 基板、はんだ層、銅ベースプレート。

組立状態

静止画の模式プレビュー · インタラクティブモデルを読み込み中

キーボード:矢印キーで回転、プラス/マイナスキーで拡大縮小、Home で視点をリセット。部品は部品ボタンで選択する。

モデル上の P/N 間隔は 4 倍に拡大して表示している。計算値には実際の d を用いる。w と l は解析モデルにのみ反映する。

プロジェクトの要点

問い
積層バスバーの折り曲げリードをチップに直接接合する構造で、P / N 層の寸法は転流ループのインダクタンスをどう左右するか。
手法
Three.js のパラメトリック形状(glTF はスクリプトで生成)で組立構造とトポロジーを表示し、バスバーのループインダクタンスを平行平板近似 L ≈ μ₀·l·d / w で見積もる。
結果
既定値 d = 0.5 mm、w = 40 mm、l = 100 mm で L ≈ 1.57 nH。L は層間距離 d と長さ l に比例し、重なり幅 w に反比例する。低減には d を詰めて w を広げるのが最も直接的である。